澳门新葡萄新京威尼斯「中国」官方网站-2024App Store

您好!欢迎访问澳门新葡萄新京威尼斯官方网站网站!
全国服务咨询热线:

17308159058

当前位置:首页 > 产品中心 > 硅基芯片 > 芯片
  • ZGSOI 纳秒光开关芯片阵列
    ZGSOI 纳秒光开关芯片阵列

    更新时间:2023-11-16

    型号:ZG

    浏览量:359

    SOI 纳秒光开关芯片阵列该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换,实现了多通道光开关阵列的单片化集成,芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装,热电混调,数字化驱动,偏振相关性小,插入损耗低
    了解详情
  • ZG9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子
    ZG9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子

    更新时间:2023-10-20

    型号:ZG

    浏览量:415

    9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,最大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
    了解详情
  • ZG9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子技术
    ZG9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子技术

    更新时间:2023-10-20

    型号:ZG

    浏览量:373

    9bit 可调光延时线芯片 SOI 硅光子技术集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,最大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
    了解详情
  • ZG9bit 可调光延时线芯片
    ZG9bit 可调光延时线芯片

    更新时间:2023-10-19

    型号:ZG

    浏览量:377

    9bit 可调光延时线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,最大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
    了解详情
  • ZG单片集成 9bit 可调光延时线芯片
    ZG单片集成 9bit 可调光延时线芯片

    更新时间:2023-10-19

    型号:ZG

    浏览量:367

    单片集成 9bit 可调光延时线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,最大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
    了解详情
  • ZGSOI单片集成 9bit 可调光时延线芯片
    ZGSOI单片集成 9bit 可调光时延线芯片

    更新时间:2023-10-18

    型号:ZG

    浏览量:341

    SOI单片集成 9bit 可调光时延线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,最大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
    了解详情
  • ZG硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片
    ZG硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片

    更新时间:2023-10-18

    型号:ZG

    浏览量:395

    硅基单片集成 9bit 可调光时延线芯片片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术,是目前综合性能和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构,芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路,延时切换时间达到 200ns 以下,最大总时延量 1022ps;延时精度 0.5ps,片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit
    了解详情
  • ZGSOI纳秒光开关芯片阵列
    ZGSOI纳秒光开关芯片阵列

    更新时间:2023-10-18

    型号:ZG

    浏览量:408

    SOI纳秒光开关芯片阵列该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换,实现了多通道光开关阵列的单片化集成,芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装,热电混调,数字化驱动,偏振相关性小,插入损耗低
    了解详情
共 36 条记录,当前 1 / 5 页  首页  上一页  下一页  末页  跳转到第页 
澳门新葡萄新京威尼斯官方网站
地址:四川省绵阳市经开区电子制造产业园16栋3楼
邮箱:zgziguan@foxmail.com
传真:
关注我们
欢迎您关注我们的微信公众号了解更多信息:
欢迎您关注我们的微信公众号
了解更多信息
XML 地图